先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）必须使用六氟丁二烯
3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的微米级深孔刻蚀
HBM高带宽显存：AI芯片配套的核心刻蚀材料
高端DRAM：电容器、深沟槽高精度刻蚀
28nm以上成熟工艺可用CF₄、C₄F₈替代，14nm及以下先进节点必须用六氟丁二烯。
（中国）、日本关东电化、德国林德。
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