长光华芯6‑26苏州龙之梦CFCF大会完整发言内容（大白话精简版）
一、行业大判断（开篇定调）
1. 现在整个AI光芯片行业进入产能为王时代，产能决定供货价格、决定供应链格局。全球磷化铟高速EML芯片严重紧缺，海外厂商交期排到2027年以后，1.6T大规模上量节奏会比市场之前预估更快。
2. 1.6T是未来两三年行业主力；3.2T、CPO长期方向，但短期受制于光芯片供给，落地节奏会放缓；NPO会优先落地。
3. 国内高端高速光芯片整体国产化率不到10%，国产替代窗口期明确，现在下游模块厂商都在主动培育国内芯片供应商。
二、自身磷化铟InP芯片最新进展（最重要部分）
1. 100G‑EML：已经稳定大批量供货旭创、新易盛、光迅，同时向谷歌、亚马逊海外云厂商送样验证，国产100G芯片已经可以正式进入海外供应链。
2. 200G‑PAM4 EML（1.6T光模块最核心芯片）：国内首款自研芯片，现阶段已经完成头部模块厂验证，2026年三季度正式量产；200G EML是制约全球1.6T放量最大瓶颈；长光华芯产能释放之后，可以明显缓解整个行业芯片紧缺情况。
3. 400G‑EML：2026‑2027年推出，对标未来3.2T以及CPO使用需求。
4. 连续光CW光源（70‑200mW）：70mW已经大批量出货，用于硅光方案；200mW高功率CW激光器今年落地；后续规划500mW以上，适配CPO架构的光源需求。
5. 接收端200G PD芯片已经完成研发，配合200G EML整套出货。
三、产能规划
1. IDM全自主产线模式（外延‑晶圆‑芯片‑封装全部自己做），2027年初光通信芯片月产能做到1000万颗以上，全年产能1.2亿颗级别，大幅释放200G芯片供给能力。
2. 持续扩充8英寸磷化铟产线，提升良率，降低芯片成本。
四、多条技术路线布局（完整卡位未来方案）
1. 薄膜铌酸锂TFLN：配套铌酸锂调制器的光源方案已经布局，跟上TFLN产业浪潮。
2. 硅光赛道：和亨通合资星钥光子，投50亿建设国内第一条8英寸90nm硅光晶圆产线，2026年底通线，2027年投产；以后可以对外提供硅光代工服务，打造InP光源+硅光集成整套方案，适配1.6T‑3.2T需求。
3. VCSEL全系列产品完善，用于短距离AI算力互联。
五、整体结论
1. 全球高速光芯片紧缺至少持续2‑3年；
2. 200G EML今年三季度量产是最大利好，直接打开1.6T产业链供给天花板；
3. 依靠InP芯片+硅光代工双重布局，同时兼顾传统可插拔模块、NPO、远期CPO三条技术路线。