❗【天风电新】玻璃基板：聚焦技术变化，看好通胀的设备、材料-0629
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相较有机基板，玻璃基板的变化主要有：
1）高深宽比打孔。有机载板的深宽比要求不高，一般采用机械钻孔。玻璃基板要做到高深宽比，需引入。有机载板一般采用化学镀Cu做种子层，玻璃基板则需用。
2）RDL层数提升。台积电CoWoS-S的Si Interposer，一般用到4~6层RDL。群创的玻璃基板则采用10M10P RDL，Intel的Glass Core EMIB基板采用上下各10层RDL方案。（光敏聚酰亚胺），而。
因此受益的设备是激光、PVD，材料是PSPI。激光市场已经有充分认知，主要更新PVD和PSPI：
1） ，约占40%。玻璃通孔和RDL布线两道工艺均需要用到PVD溅射Cu种子层。玻璃通孔内壁种子层溅射难度更高，PVD价值量4000~5000万/台；RDL上的种子层PVD设备价值量2000~3000万/台。且通孔深宽比越大、RDL层数越多，PVD设备价值量越高。
2） PSPI是HBM、CoWoS工艺的核心材料，在玻璃基板中用量直接与RDL层数直接挂钩。25年全球PSPI市场规模预计在40~50亿元，，远期市场空间有望达200亿。PSPI供应基本被日美供应商垄断。5月旭化成宣布收紧其PIMEL系列PSP供应，优先保障台积电等大客户供应，从而削减其他厂商订单。因此。
1）汇成真空：PVD设备已经可实现20um、15：1深宽比通孔，相关技术已广泛面向先进封装、玻璃基板、Chiplet、HBM、硅光芯片及CPO等应用场景开展验证。
2）天承科技：TGV药水单线价值量是PCB的几十倍，成本端差异不大，利润空间大幅通胀，且是京东方唯二供应商（另一家是海外），并有望切入台、韩供应链。
3）艾森股份：低温PSPI作为RDL绝缘层、TSV侧壁钝化与填充、晶圆级封装(WLP)中的钝化层、缓冲层和保护膜，已经取得头部客户小批量订单。
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