🔬突破 400 层 NAND 壁垒的不是制造公司，而是设备｜应用材料 $AMAT 推出钼选择性蚀刻工艺并导入量产
📈过去两周，半导体板块行情正在重新给存储制造公司估值。
📊美光\(MU与闪迪\)SNDK 的估值倍数已经脱离周期股的估值框架，铠侠市值一路攀升至日本市场第一名。
🤔站在芯片制造公司的视角，究竟谁能真正量产超过 400 层的 NAND 闪存，答案已经基本清晰。
⚙️这道堆叠层数壁垒，在成为行业竞争难题之前，本质是物理层面的技术难题。
🔌当存储堆叠层数拓展至 375 层、400 层时，如果存储单元选择布线（字线）继续使用金属钨，会受到线宽缩小带来的多重限制，出现电阻上升、信号传输变慢的问题。
📅SK 海力士会在年内量产 375 层存储产品，三星计划在目标年份商用 400 层及以上堆叠产品，两家公司都将布线材料切换为金属钼。
✨选用钼的核心优势是自身电阻更低，即便布线做细也能保持良好导电性，同时无需辅助层就能直接完成成膜工艺。
🔧剩下最核心的制造难点落在设备厂商端：如何在又深又窄的沟槽底部，均匀完成金属钼的蚀刻与分层处理。
🏭应用材料 $AMAT 在 6 月 15 日推出两款全新设备，专门针对性解决上述技术难点。
🛠️第一款设备 Producer Selectra Mo Etch 可以选择性去除钼并分离字线，设备能够从堆叠结构顶部到底部实现均匀加工，减少存储单元之间的性能差异与漏电现象，大幅提升闪存数据保存能力，目前该设备已经导入多条量产产线使用。
🛠️第二款设备 Centris Spectral SiN ALD 能够在高深宽比的 3D 芯片结构上均匀沉积氮化硅材料，用于制造逻辑芯片当下主流的 GAA（全环绕栅极）晶体管接触衬层，有效降低芯片电阻与电容。
👨💼半导体产品集团总裁 Prabu Raja 表示，AI 算力不断突破计算极限的背景下，行业竞争胜负的核心会逐步转向材料工程领域。
💹从投资视角来看，当前产业链上游存在极具价值的布局逻辑。
📉市场当下的分析重心集中在供给稀缺的 DRAM、NAND 闪存价格走势，但在产业链更上游，能够让 400 层 NAND、GAA 晶体管实现物理量产的核心设备，仅集中在少数几家公司手中。
💰无论哪家存储制造公司最终实现技术领先，掌握核心蚀刻设备的公司都能稳定获取订单营收，应用材料就是典型代表。
📊应用材料截至 2026 年 4 月的单季度营收达到 79.1 亿美元，创下公司历史新高，公司内部预测 2026 自然年全年设备业务营收增速将超过 30%。
📈不过公司当前股价已经触及 586 美元的历史高位区间，股价位置高出 200 日移动平均线约 90%。
💡AI 资本开支周期的增长预期，已经有相当大程度反映在当前股价之中。
⚠️设备新品发布不直接等同于落地订单，半导体设备行业依旧属于周期业务，营收会跟随存储、逻辑芯片头部客户的资本开支计划产生波动。
🔎即便存在上述风险，在市场持续博弈存储芯片价格涨跌的同时，支撑这类存储产能落地的上游设备赛道，行业基本面正在持续稳固。