📰SK 海力士公开「iHBM」技术，内置冷却元件降低发热

📰SK 海力士公开「iHBM」技术，内置冷却元件降低发热

🏭SK 海力士于 26 日公开了「iHBM」技术，该技术通过在 HBM 封装中内置一体化冷却元件「ICE」，显著降低了发热量。
📌ICE（Integrated Cooling Elements）：利用不导电但热传导导率高的硅材料，在 HBM 封装内部形成额外散热路径的冷却元件。
📌D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：使 HBM 基础底片与 AI 高速裸片之间能够进行超高速数据通信的物理连接通道。
📌发热密度（Power Density）：指单位面积产生的发热量大小，是决定设备或系统冷却效率及寿命的核心指标。
📈为了应对激增的 AI 运算需求，HBM 通过不断增加堆叠层数和提高运行速度来提升性能，但与此同时，发热量增加的问题也随之而来。
💡因此，有效控制连接 HBM 与 GPU 的 D2D PHY 区域的发热密度，正成为下一代 HBM 技术竞争力的核心。
💡iHBM 技术的特点是从结构上解决了这一问题。
🔧传统的 HBM 一直依赖于热量经过核心颗粒排出体外的间接方式。
🔥iHBM 的核心在于，在发热最集中的 D2D PHY 区域内植入热控制元件（ICE），单独创建了一条热量排出的专用路径。
📉通过这种方式，热阻较以往降低了 30% 以上，即使在高温度、高负载环境下也能保持稳定的运行特性。
🏭在量产性方面也具备优势。
⚙️该技术采用了已在市场中得到验证的基于 Advanced MR-MUF 的 WLP 工艺，能够实现稳定的批量生产。
🔗由于确保了与客户现有 SiP 环境的高度设计兼容性，客户无需进行重大设计变更即可立即应用，从而降低了实际的引入负担。
📌MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片与芯片之间的电路，在空间中注入液体形态的保护材料并使其固化的工艺。
📌WLP（Wafer Level Packaging）：晶圆级封装。在晶圆未切割成单个芯片的状态下，一次性完成封装工艺和测试的技术。该工艺技术可显著减小芯片尺寸并改善电气特性。
📌SiP（System in Package）：系统级封装。将具有不同功能的单个芯片在同一封装内进行垂直或水平布置，使其像一个系统一样运行的集成封装技术。
📅SK 海力士计划从 HBM5 等下一代产品开始应用 iHBM 技术，以满足高性能计算（HPC）、AI 数据中心等超高密度、超高带宽环境所要求的散热管理水平，从而提高整个系统的稳定性和运营效率。
💬SK 海力士副社长李康旭（负责 PKG 开发）表示：「iHBM 是结合内存设计能力与先进封装技术，为实现发热最小化而开发的最佳解决方案。我们将预先提供 AI 环境下客户所需的价值，进一步巩固 AI 内存领域的领导地位。」