核心一句话：中芯用DUV光刻机+创新方案，做出了媲美台积电3nm先进制程性能的芯片，把差距。
具体逻辑链条：
产品层面：华为下一代手机Mate 90，搭载的芯片是9050，这款芯片由中芯加工，用的是非常创新的技术方案。
目前测试结果非常超预期，性能比苹果高端的A18芯片（24年9月发布）要强，跟台积电用3nm先进制程做的N31芯片性能差不多。
技术方案：中芯用的并不是最高端的光刻机（DUV级别），但通过3D IC堆叠方案实现了突破。
具体就是上面一块N+3芯片，下面一块N+2芯片，中间用垂直堆叠的Hybrid Bonding（混合键合）技术做互联。
后续催化节点：
近期：周末有个IEE大会，看华为会不会在会上公开讲这个事情。如果讲了，情绪可能直接起来一波。
远期：最晚到9月份Mate 90上市，等大家意识到芯片的厉害之处，也会炒。
映射标的方面：
最核心受益：就是，逻辑最正，也适合大资金参与，目前位置还没创新高。
设备环节（多数是映射，实际外采为主）：
键合设备：纯增量环节，映射标的是拓荆科技（中芯自己用的键合设备是外采的，不是国内）。
CMP减薄设备：3D堆叠后芯片变厚，需要减薄，映射标的华海清。
检测设备：2D转3D后复杂度大幅增加，检测环节变多。确实用到了，但大头还是外采，只有小部分用长川。
散热环节：这款芯片发热比较严重，散热需求大。Mate 90散热采购招标里， 额最大，可以关注。