📰三星电子正式启动平泽最后一个半导体工厂的动工准备
🏭项目核心概况
📌三星电子已开始为位于京畿道平泽园区的 “P5 Fab 2″—— 该公司最后一座半导体工厂 —— 开展动工前期筹备工作。
📈受人工智能基础设施投资热潮带动，存储芯片订单大幅增长，该公司将这笔资本投资的启动时间，相比原定计划提前了约六个月。
🚧P5 Fab 2 工地施工筹备进展
📅根据业内人士 21 日披露的消息，三星电子 P5 Fab 2 施工现场近期新进场多台打桩机，打桩机是用于将桩基打入地下的专用施工设备。
🗣️一位业内人士表示：”施工设备陆续进场，意味着 P5 Fab 2 的建设工程即将正式启动”，该人士还补充说明，项目大概率会在下个月左右正式动工。
📦施工现场内的集装箱正在全部转移至其他区域，场地分区隔离作业也已全部完工。
👥三星电子与建筑承包合作公司，目前正在搭建专门负责 P5 Fab 2 项目的专职工作团队。
📐P5 Fab 2 工厂基础参数与产能规划
📍P5 Fab 2 是三星电子在平泽厂区落地的第六座芯片生产工厂，该厂区主要用于生产该公司最先进的各类芯片，同时这座工厂也是平泽园区规划内最后一条半导体产线。
🏗️工厂建设用地长 661 米、宽 194 米，总面积约 13 万平方米，场地规模相当于 18 个标准足球场。
⚙️工厂采用 300 毫米晶圆生产标准，规划月产能为 20 万至 30 万片晶圆。
🧩这座工厂可兼容全品类产品生产，覆盖旗舰产品高带宽存储器（HBM）、下一代 DRAM、NAND 闪存，以及先进工艺代工业务的全部产线。
⏳项目运营目标时间为 2029 年实现首次投产运营。
🏢建筑结构、投资规模与合计产能
✨该工厂一大显著特征是采用三层 “三重工厂” 特殊建筑结构，该建筑设计方案首次应用于同片区相邻的 P5 Fab 1 工厂。
🏗️P5 Fab 1 工厂已于去年年底开工，规划 2028 年正式投产，项目预估总投资规模超过 60 万亿韩元。
💰市场预计建设 P5 Fab 2 工厂，同样会投入同等量级的巨额资金。
📊将 P5 Fab 1 与 P5 Fab 2 两座工厂的产能合并统计，按照 300 毫米晶圆标准核算，合计月产能可达 60 万片。
📌该合计产能规模，基本等同于三星电子当前全部 DRAM 月总产量（每月 65 万片）。
📈芯片需求激增，推动公司加快资本投资节奏
📅三星电子原本制定的计划，是在明年年初启动 P5 Fab 2 工厂动工。
🚀当下信息技术行业对 AI 核心芯片 HBM 的需求快速暴涨，同时通用 DRAM、NAND 闪存的市场需求同步上行，基于行业需求变化，该公司最终决定将动工时间提前。
🗣️业内人士对此解读：三星电子一旦实现大规模量产，就能依靠规模经济优势，在生产成本竞争力层面领先同行竞争公司。
🤝全球头部公司代工合作需求，加速项目落地
🌍近期全球多家科技龙头公司主动对接三星电子，洽谈代工厂合作业务，这也是公司提前动工新建产线的重要诱因之一。
📋英伟达、超威、高通等芯片设计公司，以及埃隆・马斯克执掌的特斯拉、Neuralink，均已向三星电子提交芯片代工合作意向。
🌐三星电子全球各厂区同步扩产布局
🔄除同步推进 P5 Fab 1、P5 Fab 2 两座工厂建设外，三星电子还通过多种渠道扩充全球各生产基地的产能。
🏭平泽园区现有最新的 P4 工厂内，公司正在额外新建一条适配第六代 HBM（HBM4）的 10 纳米级第六代 DRAM 产线，300 毫米晶圆标准下月产能规划 10 万至 12 万片。
🇨🇳该公司坐落于中国西安的工厂，正在预留空间用于投产 286 层（V9）NAND 闪存产品。
🇺🇸美国得克萨斯州泰勒厂区，正在搭建一条 2 纳米制造产线，这条产线可用于生产特斯拉人工智能芯片。
📍另有消息称，该公司计划在光州或是西面今地区域，新建半导体封装后端工厂，以此推动区域产业均衡发展。
💬公司管理层对资本开支的官方表态
👔三星电子执行副总裁 Daniel Oh，在今年 4 月举办的一季度财报电话会议中作出表述：”考虑到今年人工智能相关需求持续旺盛，我们计划把资本支出规模提升至远高于去年的水平”。
📌该高管同时补充说明：”我们会夯实战略生产基地布局，并预留充足配套基础设施，以此主动承接未来持续增长的市场需求”。