【国海海外】SK海力士iHBM散热破局，三巨头HBM迭代加速
SK海力士推出iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成一体化冷却元件”ICE”，相较传统方案可将热阻降低30%以上。公司计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求。
🔥HBM4/HBM4E存储三巨头竞逐：
🔴美光HBM4产能爬坡速度较HBM3 12层产品快两倍，核心Die采用1β工艺、基础Die为自研优化，产品将搭载于英伟达下一代AI计算平台Vera Rubin；HBM4E核心Die采用1γ工艺，首次引入EUV，基础Die转由台积电代工，预计2027年量产。
🔴三星电子基于1c工艺开发HBM4E，计划26Q2出货首批样品，基础Die由自家晶圆代工部门采用4纳米工艺制造。
🔴SK海力士基于1c工艺开发HBM4E，目标26H2向客户提供样品、2027年实现量产，基础Die继续交由台积电采用3纳米工艺生产。
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资料来源：科创板日报公众号、闪存市场公众号
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