美光NDR，开始给 CPU 拉动的 DRAM 按计算器了
NDR会议核心要点：HBM4e与智能体AI（Agentic AI）预示2027年巨大上行空间、NAND HBF
本次会议我们接待了美光CFO马克·墨菲、全球业务执行副总裁Manish Bhatia、投资者关系副总裁Satya以及投资者关系负责人Samir。
我们核心判断：
1. AI驱动存储需求爆发，2026-2027年行业持续供给紧缺；
2. HBM定价重置后，2027年HBM4/4e价格涨幅或将进一步扩大（同比上涨70%-100%），DRAM同步涨价、产品复杂度持续提升；
3. 智能体AI拉动CPU+DRAM增量需求：我们估算英伟达200亿美元CPU营收，或将带来3000PB的CPU侧存储增量需求，约占全球DRAM总供给的6%；
4. 核心客户的非HBM类存储产品供给缺口达30%-50%，供需失衡格局将延续至2026年之后；
5. 下游客户对长期锁量供货协议的意愿持续提升；
6. 中国台湾新增30万平方英尺产能，有望在2027年下半年实现量产落地；
7. NAND HBF（混合键合闪存）技术研发持续推进。
重申对美光「跑赢大盘」的评级，维持800美元目标价。凭借DRAM与NAND作为AI核心底层支撑，美光仍是我们首选重仓标的。
核心观点
需求端：存储作为AI核心底座，2026-2027年需求持续远超供给
目前供需紧平衡何时缓解仍未见明确拐点。AI带来长期结构性红利，DRAM与NAND是AI算力的核心底层硬件，行业供给短缺将持续蔓延。
我们预计至2026年，PC、手机市场存储供给严重不足，中小终端厂商受冲击最为明显；同时相较前两个季度，市场对长周期存储产能锁单的合作意愿正在快速升温。
2027-2028年存储产能扩容展望
– 台湾铜锣工厂（30万平方英尺）：2027年下半年DRAM产能爬坡，后续再追加30万平方英尺新增产能
– ID1产线：2027年年中落地，或提前至2027年一季度量产
– ID2产线（2028年下半年）、纽约晶圆厂：2029-2030年逐步落地
– 新加坡工厂：HBM产能1000千平方英尺、NAND产能700千平方英尺，2027年下半年完成晶圆产能新增，2028年上半年正式爬坡量产
2027年HBM价格大幅跳涨，HBM4e放量，核心客户非HBM产品缺口30%-50%
我们判断2027年HBM市场规模将高速增长，全年价格同比大概率上涨70%-100%；2026、2027年行业HBM整体出货均价涨幅预期分别为17%、36%。
核心趋势：
1. HBM4e价格同比上行70%-100%
2. HBM3e需求持续强劲，GB300、TPU、Trn3/4等全品类算力芯片全面拉动
3. 头部TPU厂商直接从HBM3e切换至HBM4e，直接抬升美光HBM业务营收与利润
4. 头部核心客户常规存储（非HBM）供给缺口仍有30%-50%；美光HBM4的量产爬坡速度，有望达到HBM3E的2倍
智能体AI拉动内存/存储增量空间，CPU服务器DRAM缺口持续，NAND HBF技术落地推进
目前专用纯CPU算力服务器单机需要384TB DRAM、约256颗CPU、单CPU配套1.5TB DRAM。
以1000个机柜测算，对应新增25.6万颗CPU、384PB增量DRAM，仅占全球DRAM总供给（约4.7万PB）的不到1%。
我们估算英伟达Vera系列CPU业务2026年新增200万颗增量出货量，单颗配套1.5TB DRAM，将对应拉动全球DRAM约6%的增量需求。
同时NAND HBF技术研发持续推进，目前耐久度、写入速度层面仍有技术瓶颈待突破。