🔹三星电子计划在明年上半年启动 10nm 级别第 7 代 “1d DRAM” 初期量产工作
🔹三星电子下一代 DRAM 量产计划细节逐步落地，该公司目前正联合多家合作厂商，同步研发适配第 7 代 10nm 级（1d）DRAM 量产的配套设备，设备导入目标时间初步定为明年第二季度。
🔹行业业内人士在 17 日透露相关消息，三星电子最早计划在明年上半年开展 1d DRAM 的前期量产筹备工作。
🔹1d DRAM 指电路线宽约 10 至 11 纳米的存储芯片，当下已经商用的最新一代第 6 代 10nm 级（1c）DRAM，线宽区间为 11 至 12 纳米。
🔹芯片线宽数值越小，DRAM 产品的运行性能、功耗能效表现越好。
🔹三星电子持续开展量产相关内部验证工作，其中已经完成 1d DRAM 早期样品的试生产环节。
🔹此前市场曾有预判，三星最早或在今年启动 1d DRAM 量产，但该观点可行性较低，核心制约因素是 1d DRAM 制造所需关键设备仍处于研发阶段，尚未成熟。
🔹相关报道显示，三星电子与合作厂商沟通的 1d DRAM 量产设备导入目标窗口为明年第二季度。
🔹结合实际量产筹备全流程所需周期测算，三星最快启动 1d DRAM 小规模初期量产的时间点预计为明年年底。
🔹一名半导体行业从业者解读称，三星电子正联合核心合作厂商加速研发迭代，以此稳定 1d DRAM 的生产良率与芯片性能。
🔹该从业者补充说明，项目推进时间表存在调整可能性，但整体目标是在明年第二或第三季度完成量产设备导入工作。
🔹另一位行业相关人士表示，三星电子的 1d DRAM 工艺研发进度处于行业领先水平，市场普遍预判明年有望实现量产落地。
🔹该人士补充，整套量产规划的完整细节，预计在今年年底前后会对外明确。
🔹三星电子研发的 1d DRAM 产品，将在该公司自有 AI 内存业务板块承担极为关键的作用。
🔹这款芯片会作为第 9 代高带宽内存 HBM5E 的核心裸片使用，HBM5E 产品预计将在 2029 年实现商业化大规模出货。