🔥 “火上浇油的价格与三星罢工担忧”…… 内存暴涨周期或将延长
📊 随着三星电子 DS（半导体）部门罢工的明朗化，有观测认为，这将成为推动持续上涨的 DRAM 和 NAND 闪存价格暴涨的二次催化剂。
📈 主要市场调研机构此前预测，今年第二季度内存合同价格将创下历史最大涨幅。
⚠️ 分析指出，罢工这一供应风险恰与价格峰值期重叠，可能使市场受到的冲击幅度超出预期。
📉 15 日业界消息称，三星电子半导体工会的罢工风险可能成为今年内存半导体价格周期的二次冲击因素。
📊 此前国内外市场调研机构及投资银行普遍预测，DRAM 和 NAND 闪存价格将在今年第三季度达到峰值后，于第四季度逐步趋于稳定。
🔄 但随着三星电子劳资谈判破裂引发的罢工风险，这一预期正面临新的变数。
⚠️ 前一天，三星电子半导体工会拒绝了公司方面的追加谈判提议，实际上已进入罢工程序。
🏭 据悉，三星半导体的主要客户已开始着手消除风险因素。
💬 半导体行业相关人士解释称：”无论是否罢工，当前局势本身已成为推高 DRAM 和 NAND 价格的心理因素”，”这正让饱受内存短缺之苦的科技巨头及 PC、智能手机制造商更加焦急。”
📞 此前据主要外媒报道，苹果、惠普等三星半导体的主要客户已就罢工可能造成的影响进行咨询，高带宽存储器（HBM）客户也在密切关注罢工动向。
🤝 三星电子方面虽向主要客户表示 “将确保供应不受影响” 以进行危机管控，但部分客户仍对罢工导致的生产中断以及 DRAM、NAND 闪存价格进一步上涨表示担忧。
💬 金东元（KB 证券研究本部长）评价称：”（三星半导体的罢工风险）犹如在已燃起的市场火上浇油。”
📊 全球存储器市场因人工智能（AI）基础设施需求暴增，已进入供应无法跟上需求的 “结构性供应断崖” 阶段。
💾 三星电子、SK 海力士的 DRAM 产量中相当部分集中于 AI 服务器用 HBM，导致通用 DRAM 和 NAND 供应减少，而美国大型科技企业为扩建 AI 数据中心，甚至提出了大规模预付款条件。
⚠️ 据 KB 证券估算，若三星电子半导体罢工参与率达到工会成员的 30-40%，全球供应受阻规模将达 DRAM 3-4%、NAND 2-3% 水平。
💡 专家分析人士指出，虽然从数值上看比例不大，但在当前供应短缺的背景下，这将成为助推价格暴涨的关键催化剂。
📉 目前全球 DRAM 库存仅够满足 4-6 周的需求。
⏳ 这可能将内存价格的高位阶段拉得比预期更长。
📊 此前，海外主要投资银行和市场调查机构曾预测，DRAM 和 NAND 价格将在今年第三季度达到峰值，并从第四季度起逐步趋于稳定。
🔄 但有分析指出，若三星电子半导体罢工成为现实，峰值时间可能推迟至第四季度之后，进而对消费者物价产生额外影响。
📈 TrendForce 预测，内存供应短缺将持续至 2027 年。