📰台积电宣布 全球首颗搭载 COUPE 技术微环调制器（MRM）今年量产0514
✨ 被业界称为硅光子元年的台积电光引擎 COUPE，将整合共同封装光学（CPO）解决方案，今日在技术论坛宣布重大成果。
💡 搭载COUPE 技术的全球首个 200Gbps 微环调制器（MRM），将于 2026 年进入量产，并实现低于 1E-08 的位元误差率。
⚡ 台积电表示，与传统铜线相比，基板上搭载 COUPE 的 CPO 可提供 4 倍的功耗效率及减少 90% 的延迟。
🔧 公司正朝中介层上使用 COUPE 技术，效能可进一步提升，实现10 倍的功耗效率与延迟减少 95% 的卓越表现。
📢 台积电强调，搭载 COUPE 技术的全球首个 200Gbps 微环调制器（MRM）将于 2026 年进入量产。
🔍 采用 COUPE 技术的 MRM 在优异的制程控制下，实现低于 1E-08 的位元误差率外，公司也持续扩展，以推出 400Gbps 的调制器、多波长技术与多列光纤阵列单元。
📈 目标于 2030 年实现 4Tbps/mm 的频宽密度。
💾 除此之外，台积电也宣布非挥发性记忆体技术正朝向 MRAM 和 RRAM（电阻式随机存取记忆体）发展，而且制程将由 40/28/22 奈米缩小至 16/12 奈米。
📊 台积电是在 2022 年开始以 40/28/22nm 量产 RRAM，这项新型记忆体具备高速读写低功耗的特性，是因应智慧穿戴及嵌入式应用而被采用的非挥发性记忆体。
🚀 台积电今日公布最新的突破是 12 奈米的 RRAM，已准备好进行客户设计定案。
✅ 除此之外，28/22 奈米的 RRAM 也已通过车规 Automotive Grade-1 认证。
📅 12 奈米的 RRAM Auto 预计于 2026 年底推出。
🧲 至于 MRAM（磁阻式随机存取记忆体），是一种具备高速读写、非挥发性（断电不丢失资料）及无限次写入寿命的次世代记忆体技术。
🔗 它结合了 SRAM 的高速与快闪记忆体（Flash）的非挥发性，适用于嵌入式系统、边缘运算与汽车电子。
🏭 台积电今日也宣布，22 奈米的 MRAM 已开始量产，16 奈米 MRAM 已准备好进行客户设计定案。
⏳ 此外，用于提升逻辑密度及效能的 12 奈米 MRAM 正在开发阶段，预计于 2026 年底就绪。
👓 至于备受市场关注的显示技术方面，台积电公司宣布推出业界首个 FinFET 高压平台，用于可折叠 / 轻薄 OLED 与 AR 眼镜。
📈 台积电强调，技术演进在于，与 N28HV 相比，N16HV 预计可将闸极密度提高 41%，并为高阶智慧型手机减少功耗 35%。
🔍 N16HV 也提供了一项用于近眼显示引擎背板的技术平台，与 28nm 相比，可缩小芯片面积 40% 并降低功耗 20%。