800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅…

2026年6月26日 09:47

800V 高压环境必须使用SiC 碳化硅、GaN 氮化镓器件，传统硅 MOS 无法耐受高压，单电源功率半导体成本占比 30%+

SiC 碳化硅：天岳先进
GaN氮化镓：云南锗业

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