迈为先进制程加速导入钼金属，公司钼刻蚀&薄膜设备将加速放量【东吴机械】
事件：自三星2024年在其286层NAND导入钼金属后，SK海力士近期已完成375层3DNAND闪存的生产验证工作，将使用钼材料替代传统钨材料制作字线。
先进制程下钼材料电阻更低，更适合布线。过去布线主要依赖钨(W)，然而当制程工艺进入到纳米级别的深亚微米时代，尤其逻辑GAA、NAND2xx层+结构下，钨电阻较高的劣势凸显出来，电阻的微小增加都会导致信号传输过程中的能量损耗显著上升，影响芯片的运行速度和能效表现，此时钼(Mo)在沟槽填充和电阻两方面展现出了极为优秀的综合性能：（1）能够以精准、均匀的方式填充到极细微的沟槽结构中，（2）在厚度小于10纳米的薄膜中钼的电阻相较于钨明显更低，能够提升传输速度、降低了信号延迟、减少功率损耗。
公司先发布局钼刻蚀&薄膜设备，订单&营收加速放量。
（1）前道设备：2026年新签订单预计20亿+，钼高选择比刻蚀、钼ALD设备获多个头部客户批量订单；（2）后道设备：2026年新签订单预计15-20亿，切磨抛+键合设备布局全；（3）其它：CPO设备方面公司还布局了激光划片+键合设备、已经和头部客户取得合作，IC载板和PCB的激光钻孔设备26年订单预计0.8亿元。
【东吴机械】周尔双/李文意/谈沂鑫