【浙商化工 杨占魁】🧧 铪在存储、CPU、GPU等领域究竟有哪些应用？
（1）（CPU/GPU/SoC）— 高k栅介质（HKMG）
用途：45nm及以下（7/5/3/2nm），HfO₂基高k材料替代SiO₂作栅氧，抑制量子隧穿漏电，EOT可做到<1nm。可用于CPU/GPU核心晶体管等，据eetimes，Intel/台积电/三星已布局。 （2） —高k电容介质（1α/1β节点） 用途：HfO₂/HfSiOₓ基材料替代SiO₂/SiON作堆叠电容介质，提升容量、降低漏电，可用于DDR5/HBM等；据《HfO2基薄膜的介电、铁电性能调控及相关信息存储器》、国家知识产权局，三星/SK海力士/长鑫存储已布局。 （3）3D NAND闪存—TO/CTL/BO 用途：HfO₂基材料用于3D NAND（64/128/256层）的隧穿氧化层（TO）、电荷俘获层（CTL）、阻挡氧化层（BO）；据三星、海力士官网以及国家知识产权局，三星/SK海力士/长江存储已布局。
风险提示：价格波动风险；下游应用不及预期风险。
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