【美光科技深度报告】HBM构筑高弹性空间，技术升级叠加扩产共塑份额红利【东吴传媒互联网&海外 张良卫团队】
年初我们发布报告：《格局落定，价值归真：从周期波动走向技术溢价》存储行业持续验证我们的判断。
🌹 美光科技（MU）作为美国本土存储龙头，正经历从”周期股”向”AI算力基础设施”的估值范式切换。公司FY26Q2实现营收238.6亿美元，同比增长196%，显著超过市场预期的200亿美元 。受益于HBM3E量产及DRAM价格上行，GAAP毛利率环比大幅提升18.4pct至74.4%，公司指引下一季度毛利率将进一步升至约81%，盈利兑现节奏快于此前市场预期 。
🌹 AI存储产品线构筑核心增长极。公司专为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4已于2026年Q1率先量产出货，带宽超2.8TB/s，且2026年HBM产能已全面售罄 。在NAND领域，AI推理需求的结构性爆发带动企业级SSD需求，美光PCIe Gen6规格的Micron 9650已率先量产，数据中心SSD份额连续四年提升，成为公司第二利润支柱 。
🌹 技术路线与产能布局持续领先。公司率先推出采用EUV技术的1γ DRAM制程，并预计于2026年中成为量产主力 。为应对长期的AI存储需求，美光显著提升资本开支计划，在纽约州扩建Megafab综合体，并在新加坡、日本、印度等地同步推进先进封装与晶圆厂建设，旨在2027年及以后实现HBM份额与DRAM市场地位的对齐 。
风险提示：存储价格下跌风险 ；股价波动风险；云厂资本开支不及预期风险。