恒铭达（恒铭达）更新: 拟增资参股高压氮化镓标的，深化AI新能源布局，继续强call！
公司公告拟增资4900万元参股远山新材料科技，参股比例为8.9253%
标的公司是一家具备氮化镓（GaN)外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业，其核心技术源自日本知名第三代半导体专家河合弘治先生，河合先生与日本诺贝尔物理学奖获得者天野浩先生为多年研发合作伙伴，曾共同开发氮化镓前沿技术与产品并发表署名论文。
标的公司主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓（GaN)极化超级结（PSJ）功率器件。产品可以应用于算力服务器电源、新能源车、光伏储能、机器人等工业级场景。