📌 芯片厂商对 HBM 及长期协议（LTA）热情下降

📌 芯片厂商对 HBM 及长期协议（LTA）热情下降

💡 我们的最新分析显示，在 2026 年第一季度业绩发布后，存储芯片厂商近期对扩大 HBM 产能的热情有所减弱。
📝 原因主要有三点：
💡 1. 传统 DRAM（以 LPDDR5 为主）相比 HBM 的盈利性更高；
💡 2. HBM4 订单增长略低于预期；
💡 3. 基于 KV 缓存内存、采用 NAND 闪存的 AI 推理业务增长迅猛。
💡 因此，部分最初计划用于 HBM 的闲置资本预算，似乎正被用于传统 DRAM 甚至 NAND 闪存的扩产。
💡 另外，部分芯片厂商也表示，鉴于越来越多客户每季度都愿意支付更高的 DRAM 和 NAND 合约价格，它们对基于长期协议（LTA）的芯片销售兴趣有所下降。
💡 芯片厂商对 LTA 的担忧，主要在于其价格 / 利润上行空间有限。
💡 若存储芯片供应短缺持续至 2027-2028 年，或经济下行导致长期协议破裂，将带来相关风险。
💡 整体而言，我们预计 2026 年下半年的盈利增长将更多依赖传统存储（而非 HBM4）；同时，新的 LTA 长期协议增长可能放缓，我们认为 2026 年下半年至 2027 年上半年，多数传统存储销售仍将以季度价格谈判为基础。
📌 2028 年晶圆产能扩张预期下调
💡 投资者可能担心，2028 年韩国 / 美国新建的晶圆厂会带来多少 DRAM 晶圆产能增量。
💡 不过，多数芯片厂商预计，2028 年每家晶圆厂的产能增量最高仅为 5-6 万片 / 月（wpm）。
💡 诚然，新晶圆厂的洁净室空间理论上可提供每年 10 万片的产能，但大规模新建晶圆厂面临的高执行风险（如 1d 节点等因素），可能会迫使芯片厂商更谨慎地增加晶圆制造设备。
💡 这表明全球 DRAM 行业的晶圆产能增速仅为个位数百分比。
💡 我们认为，芯片厂商对行业长期看涨（供应短缺）的判断，也正是基于这类新增晶圆产能扩张受限的背景。
💡 尽管如此，2028 年 TCB 设备仍将面临强劲需求，其主要用于适配 16/20 层 HBM4e（将应用于 Rubin Ultra 及更先进的 AI 专用芯片）。
📌 由 DDR4 主导的存储现货价格修正加速
💡 目前，现货市场对 DDR4（传统 DRAM）的需求有所下降，原因是其价格相比 DDR5 存在超过 50% 的溢价。
💡 因此，本周 DDR4 现货价格出现了较为明显的下跌，跌幅为 5%-8%。
💡 与此同时，尽管 DDR5 规格更高，但价格反而更低，其价格走势保持稳定。
💡 我们认为，这一趋势可能会持续到 6 月，DDR5 的表现将持续优于 DDR4。
💡 韩国半导体出口数据亮眼（4 月前 20 天同比增长 182%），主要得益于 DDR5、HBM 和 NAND 的出口增长（DDR4 在总存储出货量中的占比预计不足 1%）。
📌 对韩国基板 / MLCC 行业乐观情绪升温
💡 我们对韩国基板 / MLCC 行业的看法更为乐观，该领域的需求预计将被美国大型科技企业进一步拉动。
💡 与 DRAM 类似，如果将传统用于 IT 领域的 MLCC / 基板产能转用于 AI 服务器，由于产品尺寸更大、制造周期更长、规格要求升级，其产量将大幅下降。
💡 SEMCO（009150.KS）和 LG Innotek（011070.KS）或将成为韩国基板 / MLCC 行业新一轮增长的主要受益者。