📋 会议时间： 2026年6月11日 交流主题： 高速EML/CW激光芯片、磷化铟衬底、CPO/NPO技术路线、供需价格及产能规划 一、高速EML芯片：供需、价格、产品迭代 1.1 200G EML 量产进度： 已正式量产，现阶段核心任务为外延工艺、封装良率爬坡 需求节奏： 2026年全年以头部客户
- 量产进度： 已正式量产，现阶段核心任务为外延工艺、封装良率爬坡
- 需求节奏： 2026年全年以头部客户产能锁量、上游磷化铟衬底备货为主，实质规模化出货、订单交付集中在2026Q4-2027全年
- 供需缺口： 2027年行业整体芯片供需缺口仍维持30%，海内外新增产能释放速度无法匹配1.6T光模块出货需求
- 价格上限约束： 存在明确涨价预期，极限涨幅15%；核心约束逻辑：100G EML与硅光方案互为替代，若芯片涨价突破15%，下游光模块厂商会全面切换低成本硅光方案，反向压制EML涨价空间
- 3.2T EML方案沿用400G底层架构，和当前主流100G EML技术复用率极低，不存在产能协同效应
- 方案对比： 受高端交换芯片性能、供货瓶颈限制，若未来EML与硅光采购价格持平，EML链路功耗、可靠性优势更强，下游厂商优先选择EML
- 2026Q1营收： 21亿元
- 2026Q2营收： 环比增速100%-120%，业绩实现翻倍级增长，核心拉动项为北美CW Laser、100G EML订单交付
- 海外主力供应商： AXT、住友、云南锗业（国内原生海外产能）
- 国产替代标的： 先导智能、鼎泰新材
- 导入进度： 国产仅在低参数CW Laser实现小批量试用，EML暂未批量导入国产衬底
- 场景容忍度： 国产衬底在平整度、位错上弱于海外产品；CW Laser对衬底缺陷敏感度低，EML要求严苛；国产衬底需额外优化外延工艺参数
- 理论切割值： 单张两寸晶圆可切割100G EML芯片超10000颗，仅考虑理想物理切割
- 外延后合格毛坯： 受外环弃用、晶圆崩边影响，外延工序完成后单张合格毛坯仅3000-5000颗，厂商间产出差距最高30%
- 全流程最终良品： 叠加外延、刻蚀、镀膜、封装良率，行业平均单张晶圆最终良品仅数百颗
- 外延良率分化： 头部大厂85%，中小新进入厂商不足10%，行业技术壁垒马太效应显著
- 衬底原生缺陷： 位错、掺杂不均会直接导致芯片光谱异常、波长锁定永久失效，无法后期修复
- 结构工艺难点： EML需要4-5次重复外延生长，LD发光区与EA调制区中间30-50μm隔离区是长期可靠性短板，批量出货后3年以上失效率偏高
- 设备管控难点： MOCVD外延炉参数敏感度极高，单次工艺异常的排查、参数迭代优化周期需要2-3个月，产能爬坡周期极长
- 以100G EML难度=1： 200G EML难度=2.5-3，EA调制速率翻倍，外延层厚度公差要求提升4倍
- 以70mW常规CW Laser难度=1： 100/150/200mW高功率CW难度=1.5，仅需优化斜效率、端面镀膜，无底层结构改动
- 400mW CPO外置CW光源： 难度与200G EML持平，新增SOA光放大区，高功率易出现端面烧毁、热失效，目前全球仅Lumentum实现商用
- 70mW常规CW Laser： 0.85mm×0.25mm（小尺寸、高单片产出）
- 200mW高功率CW Laser： 0.3mm×2mm（拉长芯片散热路径，牺牲单片产出换取散热能力）
- 100G/200G EML： 同比产能扩张120%-150%，扩产优先级最高
- CW Laser： 2026年全年出货500万颗，2027年目标产能4亿颗，2028年远期规划10亿颗，产能爆发式增长
- 优先扩EML： 工艺、设备壁垒极高，国内新进入者短期无法突破，供需格局紧张、毛利率维持高位
- 谨慎扩CW Laser： 技术门槛低，国内厂商可通过成熟DFB工艺快速切入，容易出现产能过剩、价格内卷
- 英伟达原生CPO： 生态高度封闭，绑定NVLink协议，第三方云厂商担心技术绑定丧失供应链自主权，推广阻力极大
- NPO近共封装： 介于传统可插拔与CPO中间，无需改动交换机底层架构，落地难度、部署成本更低，海内外主流云厂商集体倾斜
- NPO光源规格： 主流标配200mW CW Laser，向下兼容100/150mW存量产品
- CPO专项厂房： 年产4800套，目前环评公示阶段，主体施工未启动
- 产品进度： NPO外置ELS光源进度领先，CPO/NPO整机产品预计2028-2029年实现商业化落地
- VCSEL： 仅支持单路100G，适配800G模块；1.6T所需200G单通道VCSEL全球无商业化样品，短期无法突破
- Micro LED： 传输距离上限50米，仅适用于机柜内部极短互联，数据中心长距传输无应用空间
- 共性缺陷： 依靠多通道堆叠提升带宽，会指数级增加整机功耗与散热压力，违背AI降功耗需求
- 现状： 无任何材料可以替代磷化铟作为高速长距激光器衬底，砷化镓、蓝宝石仅适配低速短距芯片
- 未来： 硅光异质集成（磷化铟薄膜转移至硅晶圆），减少原生磷化铟消耗、简化封装，是硅光终极形态
- 技术阶段： 目前处于实验室Alpha样品阶段，英特尔、谷歌完成原理Demo，规模化商用至少8年以上