🧧三祥新材再次涨停封板！铪在存储、CPU、GPU等领域究竟有哪些应用？【浙商化工 杨占魁】
（1）（CPU/GPU/SoC）— 高k栅介质（HKMG）
用途：**45nm及以下（7/5/3/2nm）**替代SiO₂作栅氧，抑制量子隧穿漏电，EOT可做到<1nm；CPU/GPU核心晶体管标配，Intel/台积电/三星用。 （2） —高k电容介质（1α/1β节点） 用途：HfO₂/HfSiOₓ替代SiO₂/SiON作堆叠电容介质，提升容量、降低漏电，DDR5/HBM必备；三星/SK海力士/长鑫存储用。 （3）3D NAND闪存—隧穿氧/电荷俘获/阻挡层 用途：HfO₂/AlHfOₓ用于3D NAND（64/128/256层）的隧穿氧化层、电荷俘获层（CT）、阻挡氧化层；长江存储/三星采用。
🧧我们于2024年公司市值底部首推，欢迎联系【浙商化工 杨占魁】