📰 黄仁勋要求 “再多给点”…… 海力士开启 DRAM 月产 100 万片时代
据确认，SK 海力士已向主要合作伙伴共享了一项计划，即在 2030 年至 2031 年间，将 DRAM 晶圆产能提升至目前的约两倍水平。
这一中长期扩产计划，是在英伟达（NVIDIA）首席执行官黄仁勋在 Computex 展会现场于 SK 海力士 DRAM 晶圆上写下 “请多做一些（Please make more）” 之前就已经制定的。
据业界 5 日消息，SK 海力士采购部门及龙仁半导体集群负责人等，从两个月前开始向主要合作伙伴通报截至 2030 年的晶圆投入量扩大计划。
该计划的核心是将目前每月约 55 万片的 DRAM 晶圆产能，到 2030 年提升至每月 100 万片左右。55 万片是包含中国无锡工厂产量（约 20 万片）在内的数值，扩产将集中在龙仁半导体集群。
SK 海力士将龙仁 1 号厂房（Fab）分为 6 个洁净室，计划从 2027 年 2 月开始向第一个洁净室（Phase 1）搬入设备。经过设备调试期后，先增加 6 万片产能，之后计划每隔 6 个月在下一个洁净室依次增加 6 万片的新产能。照此计算，仅龙仁 1 号厂房到 2030 年上半年就将新增每月 36 万片规模的 DRAM 产能。
此外，还有目前正在扩建的清州 M15X 厂房。M15X 将于今年下半年以每月 4 万片的规模开始运营，明年将具备每月 8 万片左右的产能。加上龙仁的 36 万片和 M15X 新增的 8 万片，到 2030 年至 2031 年左右，SK 海力士的 DRAM 晶圆投入能力预计将达到每月 100 万片左右。
SK 海力士曾在今年 2 月介绍龙仁投资计划时表示，1 号厂房将由 2 个主体结构和 6 个洁净室组成。首批设备的搬入时间从原定的 2027 年 5 月提前到了 2 月。虽然公司此前公开了投资金额和建筑结构，但各洁净室的生产产品、规模以及扩产速度尚属首次曝光。根据目前的计划，新增产能项目均为 DRAM。据传，对于 NAND 闪存，公司计划主要推进增加堆叠层数等技术升级。
设备行业的一位相关人士解释道：”这不就是意味着，我们会快速、大量地扩产，请做好准备，吗？”
据悉，SK 集团会长崔泰源在 2026 年台北国际电脑展（Computex 2026）现场提到的 “将全速前进，在 5 年内将晶圆产能翻倍” 的发言，正与这一计划相吻合。
不过，由于该计划过于激进，合作伙伴们目前正持谨慎观望态度。2022 年，SK 海力士曾向合作伙伴传达了次年的设备投资指南，但随后在当年秋天便通知大幅削减订单量。部分相信了该指南甚至已经采购了零部件的合作伙伴，其现金流因此遭受了直接打击。此外，每 6 个月填满一个无尘室的日程安排，哪怕只有一种设备延迟入场，也可能导致整体进度受阻。
一位设备行业相关人士表示：”短期内投资肯定会增加，这对设备和材料行业来说是巨大的利好。但整体计划能否达成，还需要市场需求的支撑。”
不过，许多观点认为，由于此次增产计划是由集团会长亲自描绘的大蓝图，其分量较以往更重。
此前，崔会长在 Computex 现场表示：”价格突然跳涨或暴涨可能会损害整体的可持续性”，”为了整个生态系统，需要更强的可持续性”。有解读认为，这番言论表明了他将不畏惧短期价格波动，坚定推进扩产计划的决心。