台积电2026技术研讨会（台湾5/14）要点总结：
全球扩张与运营布局
· 全球建厂计划：正在全球范围内建设或改造18座晶圆厂（包含5座先进封装厂）。
· 台湾核心地位：其中12座设施位于台湾。
· 加速扩张：建厂速度已提升至每年9座新厂（2025-2026年），相比2017-2024年间的每年4座实现翻倍增长。
国际站点进展
· 亚利桑那州（美国）：
– 2026 年 Fab 1 产能将提升 1.8 倍
– Fab 2 设备将于 2026 年下半年搬入（N3 制程于 2027 年下半年投产）
– Fab 3 已于 2025 年上半年动工
– 第四座晶圆厂和首座先进封装厂（AP1）正处于初期建设阶段。
· 熊本（日本）：
– 第一座晶圆厂（28/22纳米制程）的良率已与台湾水平持平；2026年产量目标同比增长2.3倍。
– 第二座晶圆厂于 2025 年动工，将用于生产 N3 制程芯片。
· 德累斯顿（德国）：
-ESMC 设施专注于 12 纳米至 28 纳米制程，服务于汽车/工业领域。
先进制程路线图（N2 / A14 / A12）
· N2 进展：新竹的 Fab 20 和高雄的 Fab 22 已进入大规模生产阶段，台中 Fab 25 预计于 2028 年跟进。
· N2 性能：预计首年产量将比 N3 首年高出 45%，2026 至 2028 年产能年复合增长率预计达 70%。
· 良品率成熟度：得益于 AI 优化的制造流程，N2 的良品率学习曲线比同期 N3 提前了两个季度。
· A14（1.4 纳米）：已在 256Mb SRAM 上实现超过 80%的良率；相比 N2，速度提升 10-15%或功耗降低 25-30%。
· 新节点：
– A12（专注于性能，采用背面供电/超级电源轨）和 A13 均瞄准 2029 年投产。
– N2U（增强型 2 纳米）计划于 2028 年推出。
· 下一代技术：CFET 架构相比纳米片技术，将 SRAM 单元面积减少 30%。
先进封装与硅光子技术
· CoWoS 规模：5.5 倍光罩尺寸晶圆良率已达 98%。计划至 2028 年扩展至 14 倍光罩尺寸以支持 20 个 HBM，2029 年进一步支持 24 个 HBM。
· 晶圆级系统：未来”超级交换”芯片将集成 64 个 HBM/16 个 CoWoS 单元，突破 40 倍光罩尺寸，实现超过 100TB 的带宽。
· 增长：2022-2027 年 3DIC/CoWoS 产能年复合增长率预计超过 80%。
· COUPE：全光互连技术将取代铜互连，以应对数据中心 GPU 规模达数百万、功耗需求激增 200 倍的发展趋势。
专业与记忆技术转型
· 记忆技术革新：在汽车、AI 智能眼镜与边缘 AI 领域，针对先进制程（≤28 纳米）从嵌入式闪存转向电阻式随机存取存储器与磁阻随机存取存储器。
· 边缘 AI 技术规格：
-采用 N4PRF（射频工艺）实现功耗降低 39%
-专为 AI 智能眼镜/增强现实显示设备开发的 N16HV（16 纳米高压工艺）