📋 总结 本次会议核心观点是： 当前存储器行业正经历本世纪以来最强的上行周期，其驱动因素、持续时间和强度均与过往周期不同。 该周期由HBM（高带宽内存）引领，并带动传统DRAM和NAND Flash全面进入供不应求状态，预计将至少持续至2027年第一季度。 具体要点如下： 周期强度空前：行业经过多年整
- 周期强度空前：行业经过多年整合，全球主要玩家仅剩三星、SK海力士和美光三家（国内厂商正在加入），竞争格局集中。本轮上行周期在价格涨幅和供不应求程度上，均强于2018年、2020-2021年以及2023-2024年底的历次周期。
- 三大品类分析：
- HBM（核心驱动力）：作为AI加速器（GPU/ASIC）的必备组件，需求能见度高，与客户绑定紧密。技术快速迭代（从HBM3E到HBM4），SK海力士凭借技术和良率优势暂时领先。测算显示，2025-2027年需求分别为2.2、4.2、5.9艾字节（Exabytes），年复合增长率超40%。供给虽在跟进，但高端产能（尤其是海力士）仍显紧张，价格将保持相对稳定。
- 传统DRAM：需求受数据中心服务器周期性更新换代（替换2019-2020年部署的DDR4设备）和AI服务器需求双重驱动。同时，制程升级（从1α/1β向1γ/1δ迁移）和向先进节点产能转移限制了有效供给增长。测算显示，2025-2027年供需持续存在缺口，库存处于极低水平（约4周），价格强势上涨（2026年一季度SK海力士DRAM均价环比大涨65%）。
- NAND Flash：此前被市场低估。需求端迎来结构性变化：英伟达新一代Rubin架构服务器引入了专用的“AI Native Memory”层级（G3.5），显著提升了单台AI服务器的NAND搭载量。供给端因海外大厂利润导向而扩产谨慎。测算显示，2025-2027年同样呈现供不应求，价格同步走强。
- 供需核心矛盾：从比特（Bit）供应量看，2026年DRAM和NAND的供应同比增幅预计均不到20%（约16.7%和16.8%），而需求增速高于此水平。叠加产业链库存处于历史低位（DRAM约4周，NAND约6周），共同导致了持续的供应紧张。
- 技术与竞争格局：
- HBM技术：向更高堆叠层数（向16层发展）、更高带宽、更先进封装（混合键合Hybrid Bonding）及采用逻辑芯片制程的Base Die（Logic Die）演进。三星是唯一同时拥有存储和先进逻辑制程的厂商，在HBM4时代可能获益。
- DRAM技术：向更先进制程（1γ/1δ）和低功耗产品（LPDDR5/6）发展，以满足服务器能效需求。
- NAND技术：核心是3D堆叠层数持续增加（已超300层，向400层迈进）以及PLC等存储单元技术进步，以提升单位晶圆产出。
- 持续时间判断：基于对供需的逐项测算，分析师认为本轮供不应求的格局至少将延续至2027年第一季度，行业景气度有望维持。
- HBM：2026-2027年的增长依然相当强劲，且能见度非常高。其特点是技术门槛高，且大型GPU/ASIC厂商与存储厂商之间有很强的绑定协议，这赋予了其很高的增长确定性。
- 传统DRAM：我们看到新一轮数据中心建设在2025年后有很强的上行过程，驱动了传统DRAM的需求旺盛。
- NAND Flash：人工智能，特别是英伟达新的数据中心芯片架构，使得NAND需求出现了结构性上涨，这一点此前被市场一定程度低估。
- DRAM：供给主要依赖于制程迁移，从之前的1α/1β向1γ/1δ演进，各大厂都在进行这一过程。
- NAND：核心在于3D堆叠层数的增加，从之前不到200层发展到如今超过300层甚至迈向400层，这提升了单位晶圆的比特产出。