📋 全文总结 本次会议围绕玻璃基板在半导体封装领域的应用，重点讨论了其技术路线、当前进展、产业格局及未来趋势。核心结论如下： 玻璃基板的三大应用领域：一是显示面板模组（已广泛应用）；二是先进封装（如2.5D/3D封装），可替代硅中间层解决翘曲与散热问题；三是CPU光电共封装（CPO）以及HBM制造中的临
- 玻璃基板的三大应用领域：一是显示面板模组（已广泛应用）；二是先进封装（如2.5D/3D封装），可替代硅中间层解决翘曲与散热问题；三是CPU光电共封装（CPO）以及HBM制造中的临时载板。
- 技术路线与优势：玻璃基板因热膨胀系数与硅近似、散热性能优异、电性能损耗低，成为解决算力、存储、功耗“三大墙”问题的关键方案，尤其适用于高算力芯片（GPU、ASIC、CPU）。
- 海内外头部厂商进展：三星计划2026年Q1量产其玻璃基板方案（用于2.5D封装），英特尔预计2026年中量产，SKC和AMD计划2026年Q2-Q3量产。台积电进度相对较慢，预计2026年下半年至年底小规模量产。国内京东方、沃格光电等处于研发阶段，预计2027年中旬后才有量产可能。
- 渗透率与规模预测：2027年玻璃基板在先进封装领域的渗透率约10%，到2028年预计提升至35%-38%，主要受限于其性价比——仅适用于高端芯片，中低端仍以树脂基板或硅中间层为主。三星是被认为替代速度最快、战略最激进的厂商。
- 良率现状与提升路径：目前头部厂商综合良率约64%（从原片到电镀），其中原片良率达80%-90%，后端TGV加工工艺是瓶颈。预计2027年中良率可提升至80%左右，届时将具备大规模量产条件。
- 设备与国产化机会：加工环节涉及打孔（等离子干法刻蚀）、沉积（PVD/CVD/ALD）、CMP、电镀等设备，目前以海外厂商（AMAT、TEL、LAM等）为主。国内在刻蚀和沉积设备（北方、中微、拓荆）有一定优势，但其他环节基本为外资主导。设备国产化的机会大于原片。
- 原片市场与壁垒：原片主要由康宁、AGC、日本电气硝子等海外企业主导，国内企业（如彩虹股份、沃格光电）在中低端芯片领域可用，但高端原片差距明显。原片技术壁垒高（涉及纯度、膨胀系数、平整度等），国内原片企业短期难以替代海外巨头。
- 产业链价格与价值分布：成品玻璃基板价格约为原片的7倍（基于当前64%良率）。随着良率提升，该倍数有望缩小。原片由于玩家少、壁垒高，未来涨价幅度可能高于成品，体现其更高的价值量。
- 国内节奏与客户需求：国内在玻璃基板上的整体进度比海外慢半年到8个月。目前国内需求主要由京东方、沃格光电等企业消化，海外三星等暂无国内采购需求。下游客户（英伟达、AMD、谷歌、特斯拉等）强烈要求三星、英特尔等开发玻璃基板，以满足散热、低介电常数、低翘曲等性能要求。
- 未来方向：玻璃基板将先替代硅中间层（interposer），再逐步延伸到基板（substrate）层面。ABF与玻璃混合的复合方案可作为过渡方案。长期看，玻璃基板有望在CPO（光电共封装）中成为必然选择，但加入光波导等功能仍需到2028年之后。
- 先进封装（包括华为提出的超低功耗方案）：2.5D/3D封装中使用的硅中间层（通过硅通孔工艺制作）存在热膨胀系数不匹配导致的翘曲问题。玻璃基板的热膨胀系数与硅片非常近似，两者之间没有不匹配，因此翘曲控制得更好。另外，玻璃基板散热性能优于传统树脂基PCB板，与硅相比也更强。
- CPU光电共封装（CPO）：包含光芯片和电芯片，使用玻璃基板对电性能的损耗最小，因此玻璃基板与CPU光电共封装紧密相关。
- HBM：HBM成品不包含玻璃基板，但在加工过程中需使用临时载板。玻璃基板作为载板最合适，因其热膨胀系数最小、精度最高、TTV（总厚度偏差）加工成型容易。
- 英特尔：采用EMIB（嵌入式硅桥）技术，使用玻璃基板进行封装。预计2027年中左右可量产其使用玻璃基板的EMIB封装。
- 三星：有Q5X、Q5I、Q5H三种封装工艺，对应不同CoWoS类型，在Q5X和Q5H上需用到玻璃基板。目前正与英伟达、AMD、谷歌合作试用。预计量产时间更早，在2026年3月左右可实现产品量产。
- SKC和AMD：主要与下游封装厂（如ASE、安靠、欣兴等）合作，渗透玻璃基板，预计量产时间在2026年六七月份。
- 光电共封装（CPO）领域：三星主要投入，目标是让光子芯片与电芯片在玻璃基板上形成连接，再引出光纤。预计2026年11月左右会有基于玻璃基板的CPU方案面世。
- 国内玩家（京东方、沃格光电）：主要处于研发阶段，尚未规划量产时间，需等客户具备动机。预计至少到2027年中旬以后才有进展。
- 2027年：玻璃基板在先进封装领域的替代率约10%。
- 2028年：预计替代率提升至35%-38%。
- **超过40%**的可能性有限，因为玻璃基板性价比仍偏高，仅适用于高端GPU、ASIC、CPU；传统芯片仍使用树脂基板或硅中间层。
- 原片壁垒高：要求高纯度、高平整度、严格的介电常数和膨胀系数，涉及成型、电镀、挖孔、沉积等多道工艺。没有显示面板行业经验的新玩家很难切入。
- 后段加工（TGV、微孔填充、混合键合）：难度相对较低，因为企业若有TSV（硅通孔）或微孔填充经验，可以渗透。
- 前段原片领域，康宁、AGC等企业地位强势，国内企业较难撼动。
- 高算力芯片（HPC数据中心、训练推理芯片）
- 光电共封装CPU模块（光电转换场景）
- HBM制造的临时载板
- 先进封装：2027年中（最快）
- CPU光电共封装：2027年11月左右
- 6G、Micro LED、MEMS：预计到2028年Q1-Q2
- 2027年下半年：约20%
- 2028年上半年：约30%
- 打孔：等离子干法刻蚀机
- 沉积阻挡层/种子层：PVD、CVD、PCVD
- 沉积绝缘层：ALD
- 化学机械抛光：CMP设备
- 背面减薄设备
- 电镀设备
- 再次CMP