[庆祝]TSV 技术助力我国3nm级性能等效突破！

[庆祝]TSV 技术助力我国3nm级性能等效突破！

🌹TSV 硅通孔技术虽无法直接突破 EUV 光刻机瓶颈，但通过先进封装路径，可实现 3nm 级性能等效突破，是现阶段我国弯道超车核心抓手。

🌹当前国内光刻机核心短板为缺少 EUV 设备，上海微电子 DUV 难以实现纯 3nm 单芯片制程。TSV 属于 3D 先进封装技术，通过垂直互连实现芯片堆叠，结合 Chiplet 模式，可采用 7nm/14nm 成熟工艺芯粒组合，实现整体 3nm 级算力与性能，大幅降低对高端光刻依赖。

🌹国内长电、晶方科技等封装企业 TSV 技术已实现落地，艾森股份、强力新材等TSV材料国产化量产推进顺利。长期看，TSV+Chiplet 模式可缓解光刻机卡脖子压力，推动国内半导体从单芯片制程突破转向系统性能突破。

风险提示：技术良率不及预期、海外技术竞争加剧。