“两存”上市进度加速，继续看好存储扩产带动境内洁净室需求增长
今日长江存储在湖北证监局办理IPO辅导备案登记，正式启动上市辅导；5月17日长鑫科技更新科创板IPO招股书，IPO审核状态由”中止”恢复为”已问询”，重启上市审核进程，”两存”相继冲刺科创板，标志着国内存储半导体自主化进程迈入重要新阶段，所募资金将有力支撑后续大规模产能扩张。
当前在AI浪潮推动下，全球存储芯片步入超级景气周期，长鑫招股书预计2026H1实现营业收入1100-1200亿元，同增613%-677%；归母净利润500-570亿元，同比大幅扭亏为盈（同期亏损23亿元），业绩显著增长。目前从供给格局看，DRAM/NAND市场仍由三星/海力士/美光等外资垄断，国产替代空间广阔，预计后续”两存”扩产进程将显著提速，其中：1）长鑫在合肥、北京两地已有3座12英寸DRAM晶圆厂，今年末预计实现月产能攀升至30万片。2）长存于25年9月启动武汉三期建设，并已规划再建两座新厂，全部达产后实现总产能翻番。
“两存”扩产有望带动境内洁净室需求显著增长。洁净室系保障芯片良率及生产安全性的重要基础设施，约占新建晶圆厂总投资的15%，后续随着”两存”扩产提速，有望大幅提振境内洁净室建设需求。继续重点推荐大陆半导体洁净室龙头柏诚股份（此前深度参与长鑫、长存厂房建设）、华康洁净（武汉本土洁净室工程企业，有望切入长存供应链）；关注深桑达A（中电子旗下高科技产业洁净室工程龙头）。
风险提示：”两存”资本开支不及预期、行业竞争加剧、项目执行延后风险等。