【中泰电子丨中微】看好大扩产趋势下弹性表现！
①刻蚀：CCP方面，90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端验证；ICP 方面，第二代 ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得了140:1的高深宽刻蚀结果，并付运到国内领先存储客户端认证，全新的化学气相刻蚀设备在 GAA 和 3D DRAM 关键工艺的实验室验证中展现优异性能。
②薄膜沉积：成功开发出十多种薄膜设备，包括 LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS 和 PECVD 等产品。其中，公司已开发出金属栅应用的ALD产品；减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。
——国内两存、逻辑晶圆厂做大做强。两存将有望复制面板成长逻辑成为全球领先企业，晶圆厂体量持续壮大；先进制程必将大扩产，解决国产AI最卡脖子环节及众多高端应用芯片制造瓶颈。
——据SEMI，2025年大陆晶圆制造设备市场空间约463亿美元，未来随着大扩产向上， 市场规模有望进一步增长，同时，国产化份额较低，仍有充分提升空间。
风险提示：技术迭代不及预期等；下游扩产不及预期。
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