📈 SK 海力士预先行动应对下一代 1c DRAM 需求上升
📰 据报道，SK 海力士正考虑将其位于忠清北道清州市的新存储器工厂 “M15X” 的 DRAM 投资策略，从 1b（第 5 代 10nm 级）转向 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM。
💡 此举被视为对高带宽存储器（HBM）和通用 DRAM 市场条件快速变化的预先应对。
📅 据业内人士 4 日消息，SK 海力士正讨论将 M15X 的 1c DRAM 资本支出扩大超出原计划。
🏭 M15X 是 SK 海力士的新存储器制造基地，占地约 6 万平方米，总可实现 DRAM 产能估计约为每月 9 万片晶圆。
📋 公司最初计划在 M15X 集中投资 1b DRAM。
🔍 1b 节点作为 SK 海力士 HBM3E 和 HBM4 产品的核心芯片。
🚀 特别是 HBM4 将于今年全面商业化，并将在 NVIDIA 最新的 AI 加速器系列 “Vera Rubin” 上首次亮相。
📊 据此，SK 海力士自去年第四季度起在 M15X 部署了约每月 3 万片晶圆的 1b DRAM 设备投资。
📈 原计划是通过进一步投资将 1b DRAM 产能扩展至约 8 万片晶圆，同时在剩余可用空间引入小规模 1c DRAM 生产线。
🔄 然而，据报道 SK 海力士现正转向将今年下半年 M15X 的设备订单转向 1c DRAM。
💬 一位半导体业内人士表示：“SK 海力士原本计划今年仅在 M15X 引入 1b DRAM 设备以提高投资效率，但最近已转向 1c DRAM。据了解，此次投资策略的调整是为了应对市场条件快速变化。”
🎯 战略转向的主要驱动力是 HBM4。
📊 SK 海力士原本计划今年向 NVIDIA 供应约 60 亿 Gb 的 HBM4。
📉 然而，由于优化问题，Vera Rubin 的出货量预计将下降，SK 海力士的 HBM4 出货目标据报道已较早期预测下调 20-30%。
📉 因此，扩展 1b DRAM 产能的理由已减弱。
📈 相比之下，作为最先进的 DRAM 一代，1c DRAM 预计未来将出现大幅需求增长。
🔮 SK 海力士计划将 1c DRAM 应用于其下一代 HBM 即 HBM4E，以及在服务器市场逐渐流行起来的 SOCAMM2。
🔍 SOCAMM 是由 NVIDIA 作为专有标准开发的新一代存储模块。
💰 综合这些因素，SK 海力士预计将在 M15X 部署至少 4 万片晶圆价值的 1c DRAM 资本支出。
💬 另一位业内人士评论道：“SK 海力士似乎正快速推进 M15X 的设备订单。正式投资计划尚未公布，但目前讨论的主要情景是额外投资将聚焦于 1c DRAM。”