📋 主要技术混合键合，背面贴合。 逻辑折叠过去研发中的几大难点（目前全部实现）： W2W晶圆级键合，晶圆平整度需要纳米级的 小尺寸，一次性成型tsv，需要刻蚀难度非常难。工艺难度很大，依赖超频无损的减薄。晶圆波动需要控制到非常小。 采用低温堆叠技术，tsv应力也需要考虑（需要在设计上预留koz，影响面积
- 减小芯片尺寸可实现更高的单片良率，总体达到与二维相比的总体良率
- 优化的3D堆叠工艺引入了可忽略的良率损失
- 通过系统化设计实现进一步的良率提升
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